平创半导体获得低导通电阻的 SiC MOSFET 器材及制备办法专利

  金融界 2024 年 10 月 31 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳平创半导体有限公司和重庆平创半导体研究院有限责任公司获得一项名为“一种低导通电阻的 SiC MOSFET 器材及制备办法”的专利，授权公告号 CN 118553792 B，请求日期为 2024 年 7 月。

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